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碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統效率,更適合應用于高頻電路。在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。而燒結銀由于其超高的導電、導熱性能,低溫無壓燒結、高溫服役,連接強度高、抗疲勞性能好,成分不含膠、無有機殘留物等高性價比特性在封裝SiC MOSFET中的應用保證SiC芯片可靠性、充分發揮性能的關鍵。燒結 曲線如下:
燒結前X-ray檢查
燒結后孔洞率≤1%
剪切強度
樣品序號 | 樣品1 | 樣品2 | 樣品3 | 樣品4 |
剪切強度 | 72.3MPa | 81.9MPa | 75.6MPa | 80.1MPa |